电子行业专题研究：SLC NAND：老树也能开新花

2026-07-31 · 配资库

SLC NAND 性能卓越，大厂退出带来替代空间。SLC NAND（ Single-LevelCell NAND，单层单元闪存）是指每个存储单元仅存储1 位数据 0 或1）的NAND Flash 技术，通过两种状态 已擦除/已编程）实现数据存储。相较于同属于NAND Flash 的MLC、TLC 及QLC 等多比特存储方案，SLCNAND 在擦写寿命、写入延

SLC NAND 性能卓越，大厂退出带来替代空间。SLC NAND（ Single-LevelCell NAND，单层单元闪存）是指每个存储单元仅存储1 位数据 0 或1）的NAND Flash 技术，通过两种状态 已擦除/已编程）实现数据存储。相较于同属于NAND Flash 的MLC、TLC 及QLC 等多比特存储方案，SLCNAND 在擦写寿命、写入延迟、运行稳定性等方面通常具有更优表现。从市场规模来看，SLC NAND 作为NAND Flash 中的细分市场，整体体量较小，2024 年全球NAND 市场规模约656 亿美元，其中SLC NAND 市场规模为23.2 亿美元，从竞争格局看，全球SLC NAND 市场份额高度集中于海外及中国台湾厂商，2025 年前几大厂商为美光、铠侠、华邦、SkyHigh、旺宏、兆易创新、东芯股份，分别为21%、20%、15%、14%、11%、9%、6%。近年来全球NAND 原厂的研发投入与资本开支重点持续向高层数3D NAND 演进，就铠侠而言，2026 年3 月公开报道显示，其已向客户通知停止TSOP 封装相关产品供应，原因包括相关基板退出、市场需求变化及生产限制，SLC NAND 迎来国产替代机遇。 AI 带动2D NAND 价值重估，需求有望高速增长。英伟达联合亚马逊共同推进GIDS GPU 发起直接存储访问）技术研发，该方案将落地于双方下一代Vera Rubin AI 平台。AI 工作负载对SSD 提出了极端的技术要求，在GPU 直接控制SSD 的架构下，这些要求变得更加突出，对AI SSD 也提出了新的需求，需要性能需求升级、耐久性要求提高、面临散热与功耗约束、多发起者数据一致性与隔离以及容量与成本的平衡。另外我们认为值得注意的是AI 推理场景下KV 缓存等业务呈现高频、小粒度覆写的存取特征，会显著抬升SSD 每日全盘写入量 DWPD），为匹配严苛的耐久度需求，存储厂商通常会选用pSLC、pMLC 闪存架构方案，或是大幅提升盘内超额配置 OP）占比来缓解写入压力，AI 时代SLC&MLC NAND 价值有望被重估，需求有望高速增长。 未来的数据中心是让不同层级存储各司其职，大模型推理、长上下文、KVCache、RAG 和向量检索场景里XL-FLASH 这类低时延SCM 技术的价值会更加被放大。铠侠第二代XL-FLASH 提供128Gb SLC、256Gb MLC 两类芯片规格，凭借低时延、高耐久、易扩展的多重性能优势，精准匹配当下数据中心与企业端SCM 存储需求。未来的数据中心是让不同层级存储各司其职，DRAM 继续承担极低时延的主内存任务，HBM 继续服务 GPU侧的高带宽访问。TLC、QLC NAND 继续承担大容量存储和成本敏感型数据承载。XL-FLASH 这类SCM，则可以在DRAM/HBM 与传统NAND 之间，补上一个低时延、非易失、容量更可扩展的新层级。AI 系统里的数据访问模式越来越复杂，尤其在大模型推理、长上下文、KV Cache（ 值值缓存）、RAG（ 检索增生生成）和向量检索场景里，频的的小随机机访问会越来越多，传统SSD 更擅长大随顺序读写，而AI 推理里的很多访问请求更碎、更频的、更靠近实时路径，XL-FLASH 这类低时延SCM 技术的价值会更加被放大。 TrendForce 预判SLC NAND 2026 下半年价格仍具备70%-75%上行空间。根据TrendForce，依托高擦写寿命、极低误码率、长效数据存储与宽温运行等核心优势，SLC NAND 是各类高可靠场景的核心存储方案，当前下游需求稳步扩容，智能工厂、工业机器人、高端网络设备搭载边缘AI推理模随带动高可靠存储需求提升，同时企业服务器、数据中心普遍将其用作系统启动盘与高频读写缓存，医疗、军工、航天等对数据容错近乎零容忍的领域更是难以替代；供给端方面，海外头部存储厂商持续收缩小容量成熟制程SLC 产能，工控、车规、网通客户同步加大安全备货力度，二季度市场集中补库推动价格上行，2026 上半年行业均价累计涨幅有望达到130%-150%，Trend Force 预判2026 下半年价格仍具备70%-75%上行空间，其中工业、车规专用SLC 产品供需缺口更大，涨价弹性或将更为突出。 华邦&旺宏：指引供需失衡预计持续至2028 年之后。 1） 华邦电子：华邦电子26Q1 营收新台币382.53 亿元，环比增长43.7%、同比大涨91.3%；毛利率飙升至53.4%，环比增加11 个百分点，同比增加27 个百分点；税后净利润新台币 亿10元1.1，8环比暴涨226.9%，同比由亏转盈；归母净利润新台币101.14 亿元，环比暴涨195.5%，同比扭亏为盈；每股收益新台币2.25 元。在闪存 Flash）业务方面，华邦电子第一季营收环比增长23%、同比大涨89%，ASP环比增长约34%至36%、同比增幅约60%中段。华邦电指出海外存储大厂全面退出2D SLC、MLC NAND 赛道，行业形成结构性供给缺口，下游客户普遍面临物料紧缺、方案重构的压力，部分厂商因eMMC供货不足，通过压缩系统程序、切换华邦电子8Gbit SLC NAND 完成产品迭代；公司精准把握行业供需红利，加速新增设备投产，预计未来一年SLC NAND 位元出货量增幅超80%，该产品线盈利水平优于NORFlash，有望持续改善公司整体盈利结构，目前华邦2026、2027年存量及新增产能已全部被客户锁定，DDR3、DDR4、Flash 各类产品紧缺格局延续，行业结构性供需失衡预计持续至2028 年之后。 2） 旺宏：2026 年一季度旺宏营收净额达到新台币105 亿元，环比2025年四季度、同比2025 年一季度均实现大幅增长。伴机产品价格上行，公司盈利水平显著修复，营业毛利率为40.8%，营业净利率回升至18.5%，告别此前连续两个季度的经营性亏损，具体来看，NAND 业务环比大增90%、同比飙升382%，营收占比提升至30%，其中eMMC供需格局紧张，订单供不应求，26Q1 eMMC 营收环比大幅提升94%，同比增幅高达3993%；其余NAND 产品单季营收环比增长88%、同比上涨219%。公司计划持续扩充产能，以此承接下游激增的订单需求。 投资建议：供给端，近年来全球NAND 原厂的研发投入与资本开支重点持续向高层数3D NAND 演进，SLC NAND 迎来国产替代机遇。需求端，在GPU 直接控制SSD 的架构下，AI SSD 需要选用pSLC、pMLC 闪存架构方案，此外eMMC 供货不足带来SLC NAND 替代空间，关注AI 时代SLCNAND 价值重估机遇。建议关注江波龙、兆易创新、香农芯创、联芸科技、东芯股份、普冉股份、聚辰股份。 风险提示：下游需求不及预期、研发进展不及预期、地缘政治风险。